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| 产品： |
浏览次数：166场效应管 IRFB4019PBF |
| 单价： |
面议 |
| 最小起订量： |
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| 供货总量： |
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| 发货期限： |
自买家付款之日起 天内发货 |
| 有效期至： |
长期有效 |
| 最后更新： |
2017-07-24 16:34 |
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“场效应管 IRFB4019PBF”参数说明
| 是否有现货： |
是 |
品牌： |
IR |
| 类型： |
结型场效应管(P沟道) |
材料： |
N-FET硅N沟道 |
| 封装外形： |
P-DIT/塑料双列直插 |
用途： |
L/功率放大 |
| 导电方式： |
增强型 |
型号： |
Irfb4019pbf |
| 商标： |
IR |
包装： |
950 |
“场效应管 IRFB4019PBF”详细介绍
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标准包装：50
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包装类型：管件
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RoHS规范：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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产品描述：MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB
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产品相片：TO-220-3, TO-220AB
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产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
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FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
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FET 功能：标准
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漏源极电压 (Vdss)：150V
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电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17A
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不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 10A，10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 50µA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V
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不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 50V
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功率 - 最大值：80W
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安装类型：通孔
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封装/外壳：TO-220-3
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供应商器件封装：TO-220AB
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